作者 /z19a111
实际上你越对半导体行业有了解,越会发现硅这玩意儿真是老不死
做一个 MOSFET,你首先得是一个半导体材料,有合适的禁带宽度:太高导电性差,太低工作温度低(Ge)
你还得有不错的迁移率。而且最好电子迁移率和空穴迁移率不要差太多 —— 不然 CMOS 没法设计了
接着是与之匹配的氧化物材料。首先也得有合适的禁带 —— 不仅要够宽,而且还要保证 “上头和下头”(空穴和电子)都有势垒
而且还得有个适中的介电常数 —— 太低控制不了 MOS 器件,太高增加互连中的 RC 延时
更要命的还有界面问题,SiO2 偏偏天生很致密,与硅的晶格匹配也很好,界面质量没话说
上面这也就是些最基本的问题,后面问题还有一大堆:
做器件你得掺杂吧?Si 的掺杂很好找,硼磷砷都是常见元素
掺杂完了可能要修复晶格损伤,硅不挑食,退火完全可以解决了
器件要制作栅级,要考虑功函数匹配。之前用重掺多晶硅,换金属后正好有功函数相近的常见金属
器件制作要考虑机械性能,尤其是多层互连和抛光工艺,一不小心就是良率下跌成本上涨。硅和二氧化硅都是刚刚的金刚石结构
这也就是老天爷赏饭吃,硅恰好啥都行,啥都差不离。集成电路也就这样稀里糊涂跑了几十年黄金时期,有些问题没爆发都不知道是被硅惯坏了
来源:知乎
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